所屬欄目:電子衍襯
1.Frank-Read位錯(cuò)源發(fā)出的位錯(cuò)環(huán)通常低倍下在晶體表面觀察到的滑移線是位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)滑出晶體留下的變形痕跡。一條滑移帶的滑移量約100~200nm,而一根位錯(cuò)產(chǎn)生的滑移量?jī)H為b,相當(dāng)于0.1nm。這就是說(shuō),一條滑移帶是成千根位錯(cuò)滑出晶體的貢 ......(本文共 4119 字 , 7 張圖) [閱讀本文] >>