一種三維相變存儲(chǔ)器1S1R存儲(chǔ)單元電路仿真模型
上海交通大學(xué)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 9 2022-06-22
摘要： 三維相變存儲(chǔ)芯片1S1R存儲(chǔ)單元由雙向閾值選通管(OTS)和相變存儲(chǔ)器件(PCM)串聯(lián)組成.為了解決現(xiàn)有OTS和PCM電路仿真模型不能準(zhǔn)確模擬器件電學(xué)特性和物理特性、不適用于限制型PCM等問(wèn)題，提出了一種采用Verilog-A語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)的1S1R電路仿真模型.該模型實(shí)現(xiàn)了對(duì)OTS電學(xué)特性和PCM相變過(guò)程中電流、溫度、熔融比例、晶態(tài)比例和非晶比例變化的模擬，具有良好的收斂性和較快的... （共9頁(yè)）
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