SiC探測(cè)器的中子和γ性能測(cè)試
核技術(shù)
頁(yè)數(shù)： 6 2024-03-15
摘要： 第三代SiC半導(dǎo)體探測(cè)器具有體積小、響應(yīng)時(shí)間快、中子/伽馬（n/γ）甄別容易等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于反應(yīng)堆堆芯劑量監(jiān)測(cè)。本文針對(duì)自研的第三代Si C半導(dǎo)體探測(cè)器，采用電子束蒸發(fā)真空鍍膜的技術(shù)將中子轉(zhuǎn)換層材料6LiF(6Li豐度為95%)噴鍍到SiC基底上，厚度為25μm，實(shí)現(xiàn)了中子轉(zhuǎn)換層厚度優(yōu)化。利用241Am α放射源（活度9.37×10~3 Bq）開展α粒子響應(yīng)信號(hào)幅度的測(cè)量，并... （共6頁(yè)）
APP 