Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te掃描隧道譜的模型解釋

摘要： 本工作利用截面掃描隧道顯微鏡（XSTM）研究了分子束外延生長的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。掃描隧道譜（STS）測量表明，此碲鎘汞材料的電流-電壓（I/V）隧道譜呈現(xiàn)的零電流平臺寬度（隧道譜表觀帶隙）比其實際材料帶隙增大約130%，說明存在明顯的針尖誘導(dǎo)能帶彎曲（TIBB）效應(yīng)。STS三維TIBB模型計算發(fā)現(xiàn)低成像偏壓測量時獲取的I/V隧道譜數(shù)據(jù)與理論計算結(jié)果有... （共5頁）