單軸應(yīng)變對(duì)Sb2Se3空穴遷移率的影響
物理學(xué)報(bào)
頁數(shù): 8 2024-04-23
摘要: 硒化銻(Sb
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3)是一種物相簡(jiǎn)單、元素豐富、經(jīng)濟(jì)友好的太陽電池吸收層材料,具有廣闊的應(yīng)用前景.然而, Sb
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3較弱的導(dǎo)電性成為了限制電池器件性能的重要因素.遷移率是材料與器件的重要電學(xué)參數(shù),應(yīng)變可以改變載流子遷移率,因此,研究應(yīng)變對(duì)Sb
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3的載流子遷移率特性影響具有實(shí)際意義.本文通過密度泛函理論和形變勢(shì)理論,系統(tǒng)研究了單軸應(yīng)變對(duì)Sb
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3能帶結(jié)構(gòu)、... (共8頁)