碳化硅納米拋光亞表面損傷機(jī)理的分子動力學(xué)模擬
機(jī)械工程學(xué)報(bào)
頁數(shù): 10 2023-10-11
摘要: 碳化硅(SiC)在表面微納加工過程中損傷機(jī)理的研究不足限制了SiC的加工表面質(zhì)量及應(yīng)用,因此了解不同拋光參數(shù)下SiC的損傷機(jī)理對提高SiC的納米加工表面質(zhì)量具有重要意義。采用分子動力學(xué)模擬研究了單晶SiC在納米拋光過程中的亞表面損傷機(jī)理,并考慮了拋光速度和拋光深度的影響。結(jié)果表明,隨著拋光深度的增加,SiC的去除機(jī)制逐漸由以黏附和犁溝機(jī)制為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐郧邢鳈C(jī)制為主。微裂紋通過滑移... (共10頁)