新型4-bit和5-bit寬帶砷化鎵單片數(shù)字移相器

摘要： 在GaAs基片上實現(xiàn)的多級級聯(lián)3dB耦合線開關反射式寬帶單片數(shù)字移相器在相移精度、輸入回損等關鍵性能上良好,但通常面積很大,而多級級聯(lián)的高低通網(wǎng)絡移相器面積較小而寬帶性能較差。通過多節(jié)GaAspHEMT開關的組合改變3dB耦合線的直通端和耦合端的反射體的電長度,在6～18GHz的頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)不同的相移量。該結構只采用兩級3dB耦合線結構級聯(lián),減小了芯片面積,減小了多節(jié)耦合線級聯(lián)引入的寄生損耗。測試結果驗證了結構的合理性:性能上與傳統(tǒng)結構相當,但芯片面積縮小為50%～60%。 （共5頁）