GaAs 10 bit DAC的抗輻射設計和實驗

摘要： 通過分析砷化鎵(GaAs)器件的電離輻射劑量率輻照機理和效應,結合電路結構,描述了砷化鎵10 bit數模轉換器(DAC)的電離輻射劑量率輻射效應、抗輻射設計和輻照實驗。在電路設計上,10 bit DAC由兩個5 bit DAC組成,通過芯片內部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面積和制造工藝難度;通過分析電路的電離輻射劑量率輻射效應,針對敏感電路進行局部電路的抗輻射設計,提高電路抗輻射能力;結合實驗條件和器件引線分布,設計合理的輻照實驗方案,開發(fā)輻照實驗電路板,進行輻照實驗,獲得科學的實驗結果,驗證電路的抗輻射能力。實驗結果表明該數模轉換器能夠抗3×1011rad(Si)/s劑量率的瞬時輻照。 （共5頁）