根據(jù)電磁場(chǎng)理論,由邊界條件(1-15)式,在邊界上電場(chǎng)矢量E和磁場(chǎng)矢量H的切向分量連續(xù),電感應(yīng)矢量D和磁感應(yīng)矢量B的法向分量連續(xù)。對(duì)一個(gè)波矢量k,電磁場(chǎng)的電場(chǎng)矢量可以分解為如下特定的兩個(gè)彼此正交的分量,電場(chǎng)的兩個(gè)分量在界面上...[繼續(xù)閱讀]

    1.外反射從低折射率材料入射到高折射率材料與低折射率材料界面產(chǎn)生的反射現(xiàn)象稱為外反射。圖1-6是計(jì)算的TM偏振光和TE偏振光在外反射時(shí)的反射系數(shù)絕對(duì)值隨入射角變化的曲線。這里,依然假定兩種介質(zhì)都是各向同性、均勻透明的...[繼續(xù)閱讀]

    光在金屬界面上反射時(shí)金屬中有電流:J=σE(1-135)考慮單色平面波的情況,將對(duì)時(shí)間的微分替換為iω,麥克斯韋方程(1-1)式和(1-2)式寫改為▽×E=iωμH(1-137)同樣可以得到這里這些方程在形式上和不導(dǎo)電介質(zhì)的相應(yīng)方程完全相同,但對(duì)于金屬需...[繼續(xù)閱讀]

    雖然到目前為止并沒有在自然界中發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)ε和磁導(dǎo)率μ都為負(fù)值的介質(zhì),但早在1968年,蘇聯(lián)科學(xué)家Veselago就在理論上研究了這類介質(zhì)的電磁學(xué)性質(zhì)[11]。事實(shí)上,麥克斯韋方程組是宏觀電磁現(xiàn)象的普遍理論,因此介電常數(shù)ε和磁導(dǎo)率...[繼續(xù)閱讀]

    光場(chǎng)的約束是通過邊界的存在來(lái)實(shí)現(xiàn)的。反射、折射導(dǎo)致波的相干疊加,相長(zhǎng)干涉條件使光場(chǎng)分裂為特征的模場(chǎng),典型的應(yīng)用包括波導(dǎo)和諧振腔。下面僅從邊界反射的角度來(lái)分析波導(dǎo)和諧振腔并獲得模式條件,模場(chǎng)分布則需要嚴(yán)格求解...[繼續(xù)閱讀]

    如果光不是在主軸方向傳播,即使是垂直于界面從各向同性介質(zhì)入射到單軸各向異性介質(zhì),折射光也分成兩束,如圖1-17所示。產(chǎn)生偏折的那束光不服從斯涅爾折射定律,稱為非常光,簡(jiǎn)稱e光。非常光的電矢量在包含主軸和入射光線的平面...[繼續(xù)閱讀]

    由(1-175)式,入射波矢位于法線一側(cè),而反射波矢、折射波矢位于法線的另一側(cè);而且,隨著波矢入射角的逐漸減小,波矢反射角和波矢折射角也逐漸減小。當(dāng)θi＝0時(shí),θr＝θt＝0。由(1-180)式,單軸晶體內(nèi)e光光線與波矢不重合。對(duì)光從各向同...[繼續(xù)閱讀]

    負(fù)反射是指入射光線和反射光線位于法線同側(cè)的現(xiàn)象。單軸晶體負(fù)反射的實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖1-20所示[27]。僅考慮光軸在入射面內(nèi)的情形。光在折射率為no、ne的單軸介質(zhì)內(nèi)入射,這里僅討論入射角和反射角的關(guān)系,所以界面另一側(cè)的介質(zhì)的性...[繼續(xù)閱讀]

    只考慮光軸在入射面內(nèi)的情形。光從折射率為no、ne的單軸介質(zhì)內(nèi)入射到介電常數(shù)為ε1的各向同性的介質(zhì)內(nèi),振幅反射、透射系數(shù)分別為各符號(hào)的含義可以參考(二)(三)小節(jié)。(1-211)式和(1-212)式很容易推廣到從各向同性介質(zhì)入射到各向異...[繼續(xù)閱讀]

    波場(chǎng)傳播的初級(jí)模型首先由惠更斯給出?；莞怪赋?如果已經(jīng)知道某一時(shí)刻的波陣面,那么波陣面上的每一點(diǎn)都可以看作是新的子波波源,這一族子波的公切面(包絡(luò))就是下一時(shí)刻的波陣面。這就是惠更斯原理,如圖1-23所示。利用惠更...[繼續(xù)閱讀]