將交流電壓通過(guò)整流濾波電路及DC-DC開(kāi)關(guān)變換器,并借助反饋環(huán)節(jié)得到穩(wěn)定直流輸出電壓的開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電路。其原理框圖如圖所示。圖中輸入和輸出端都加有噪聲濾波器。電容濾波全波整流電路中,開(kāi)機(jī)時(shí)有一大的充電電流流過(guò)整流管...[繼續(xù)閱讀]

    國(guó)際單位制(SI)中電流的單位。安培簡(jiǎn)稱安,符號(hào)是A。它是國(guó)際單位制的基本單位之一(見(jiàn)電學(xué)和磁學(xué)量單位制),也是磁動(dòng)勢(shì)的單位。在真空中,截面積可忽略的兩根相距1m的無(wú)限長(zhǎng)平行圓直導(dǎo)線內(nèi)通以等量恒定電流時(shí),若導(dǎo)線間相互作用...[繼續(xù)閱讀]

    磁動(dòng)勢(shì)的單位。在磁路計(jì)算的一些場(chǎng)合,磁動(dòng)勢(shì)用線圈的匝數(shù)與線圈中電流的安培數(shù)的乘積來(lái)表示。國(guó)際單位制(SI)中電流的單位是安培,因此電氣工程中以安匝作為磁動(dòng)勢(shì)的單位。...[繼續(xù)閱讀]

    絕緣間隙在多次施加沖擊電壓時(shí),其中半數(shù)導(dǎo)致?lián)舸┑碾妷?。用于衡量絕緣間隙的絕緣強(qiáng)度。要使絕緣間隙擊穿,需要加足夠高的電壓以及足夠長(zhǎng)的電壓作用時(shí)間。絕緣間隙擊穿的放電時(shí)間包括電壓上升達(dá)到穩(wěn)態(tài)擊穿電壓所需的時(shí)間和...[繼續(xù)閱讀]

    表征均勻電場(chǎng)氣體間隙的擊穿電壓與間隙距離、氣壓之間的關(guān)系。該定律說(shuō)明在均勻電場(chǎng)下,氣體間隙的擊穿電壓Ub只與間隙氣壓p和距離d的乘積pd有關(guān),即Ub＝f(pd)(1)式(1)表示的曲線稱為巴申曲線。1880年W.德拉路(W.delaRue)和H.W.米勒(H.W...[繼續(xù)閱讀]

    利用先進(jìn)的科學(xué)技術(shù)、辦公設(shè)備和計(jì)算機(jī)系統(tǒng),為提高辦公效率而構(gòu)成的服務(wù)于辦公業(yè)務(wù)的人機(jī)信息系統(tǒng)。它綜合運(yùn)用計(jì)算機(jī)技術(shù)和通信技術(shù),將數(shù)據(jù)、文字、圖形、圖像和語(yǔ)音等功能組合在一個(gè)系統(tǒng)中,完成各項(xiàng)辦公業(yè)務(wù),其目的是改...[繼續(xù)閱讀]

    導(dǎo)電能力介于金屬導(dǎo)體和絕緣體之間的固體材料。通常規(guī)定在室溫下,電阻率的數(shù)量級(jí)為10-6～108Ω·m,而且電阻率值強(qiáng)烈地受到材料的結(jié)構(gòu)和摻雜狀況以及周圍環(huán)境(溫度、電場(chǎng)、磁場(chǎng)、光照、壓強(qiáng)、核輻射等)影響的固體材料為半導(dǎo)體...[繼續(xù)閱讀]

    用半導(dǎo)體大規(guī)模集成存儲(chǔ)器芯片作為存儲(chǔ)媒體的,能對(duì)數(shù)據(jù)信息進(jìn)行存取的存儲(chǔ)器件。多用作計(jì)算機(jī)可尋址存儲(chǔ)器。20世紀(jì)70年代以來(lái),它逐步取代磁芯存儲(chǔ)器而在計(jì)算機(jī)的高速存儲(chǔ)方面得到廣泛應(yīng)用。根據(jù)功能特性,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分...[繼續(xù)閱讀]

    具有兩個(gè)電極和不對(duì)稱電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有單向?qū)щ娦?。所用的材料有硅、鍺和化合物半導(dǎo)體。利用不同的材料、摻雜濃度、幾何結(jié)構(gòu),可以制成不同用途、特性各異的半導(dǎo)體二極管,如半導(dǎo)體整流二極...[繼續(xù)閱讀]

    在電路中工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的半導(dǎo)體二極管。由于它用于開(kāi)關(guān)電路,要求它的開(kāi)關(guān)速度快。二極管的開(kāi)關(guān)速度取決于結(jié)電容上存儲(chǔ)電荷的建立或消失的速度。低頻整流管因PN結(jié)面積大,結(jié)電容大,故存儲(chǔ)電荷多,由正向?qū)ǖ椒聪蚪刂沟姆?..[繼續(xù)閱讀]