由于能源分布和經(jīng)濟發(fā)展的不平衡,高電壓、大容量、遠距離輸電和大電網(wǎng)的互聯(lián),已經(jīng)成為世界各國電力系統(tǒng)發(fā)展的主要趨勢之一。而能源資源緊張和環(huán)境污染等問題日趨嚴重,已成為經(jīng)濟社會可持續(xù)發(fā)展的重大制約因素,越來越多的...[繼續(xù)閱讀]

    二極管(Diode)是發(fā)明最早也是應用最為廣泛的半導體器件之一。常規(guī)的二極管是一個兩層PN結的半導體器件,如圖1-1所示。二極管的工作特性如圖1-2所示。如果圖1-1中的P層相對于N層是正電壓,則器件在正向偏壓作用下流過大電流;如果...[繼續(xù)閱讀]

    晶閘管(Thyristor)在結構上可以看作兩個晶體管連接在一起,如圖1-5所示。這兩個晶體管結構中PNP晶體管的集電極形成NPN晶體管的基極。通常N和P兩個發(fā)射極層摻雜濃度很高,而N和P兩基層摻雜濃度很低。當陰極(N發(fā)射極)為正,而陽極(P發(fā)射...[繼續(xù)閱讀]

    門極可關斷晶閘管(GateTurn-offThyristor,GTO)是在普通晶閘管基礎上改進的一種注入型自關斷器件。與普通晶閘管一樣,GTO也是一種三端器件,它的結構、等效電路和符號如圖1-7所示。圖1-7GTO的結構、等效電路、符號(a)結構;(b)等效電路;(c)符...[繼續(xù)閱讀]

    集成門極換流晶閘管(IntegratedGateCommutatedThyristor,IGCT)是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅動電路集成在一起,再與其門極驅動在外圍以低電感方式連接。其結合了晶閘管與晶體管兩種器件的優(yōu)點,是一種用于大功率電力電子裝置中的新...[繼續(xù)閱讀]

    絕緣柵雙極晶體管(Insulated-GateBipolarTransistor,IGBT)是一種場控復合器件,由MOSFET器件發(fā)展而來,其將高阻抗和小功率門極輸入結合起來,具有較高的開關速度和較低的導通損耗。IGBT的工作特性與雙極晶體管類似,但卻有著與晶閘管類似的雙...[繼續(xù)閱讀]

    目前,硅材料功率器件已發(fā)展得相當成熟。為了進一步實現(xiàn)人們對理想功率器件特性的追求,越來越多的研究工作開始轉向基于新型材料的半導體器件。在用新型半導體材料制成的功率器件中,受到最多關注的是碳化硅(SiC)功率器件。碳...[繼續(xù)閱讀]

    靈活交流輸電技術(FACTS)是20世紀80年代末美國電力科學研究院NarainG.Hingorani博士提出的概念。靈活交流輸電系統(tǒng)的設備可分為并聯(lián)補償裝置、串聯(lián)補償裝置和串并聯(lián)綜合控制裝置。并聯(lián)補償裝置,如靜止無功補償器(SVC)、可控并聯(lián)電抗...[繼續(xù)閱讀]

    高壓直流輸電技術是以直流電的形式來實現(xiàn)電能傳輸?shù)募夹g。高壓直流輸電系統(tǒng)一般可分為兩端直流輸電系統(tǒng)和多端直流輸電系統(tǒng)兩大類,目前工程中絕大多數(shù)都為兩端直流輸電系統(tǒng)。而從電壓等級上來區(qū)分,又可分為高壓直流輸電...[繼續(xù)閱讀]

    柔性直流輸電技術于1990年首次被提出,其主要特點就是采用由全控電力電子器件構成的電壓源換流器,取代常規(guī)直流輸電中基于半控晶閘管器件的電流源換流器。自該技術提出以來,由于其卓越的可控性和靈活性,吸引了世界上眾多學者...[繼續(xù)閱讀]